PBSS5130QAZ详情
NXP PBSS5130QAZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1010D-3
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
系列
*
操作温度
150°C (TJ)
功率 - 最大
325 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 100mA, 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
240mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
频率转换
170MHz
PBSS5130QAZ拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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