NXP PBSS5612PA115

生命周期状态

EOL (Last Updated: 6 days ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-PowerUDFN

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

3-HUSON (2x2)

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

6 A

厂商

恩智浦半导体

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12 V

hFEMin

130

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

包装

Digi-Reel®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

2.1 W

频率

60 MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

2.1 W

功率 - 最大

2.1 W

增益带宽积

60 MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

12 V

最大集电极电流

6 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

190 @ 2A, 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 300mA, 6A

电压 - 集射极击穿（最大值）

12 V

转换频率

60 MHz

最大击穿电压

12 V

频率转换

60MHz

集电极基极电压(VCBO)

12 V

发射极基极电压 (VEBO)

-7 V

辐射硬化

无