PDTB114EUF
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NXP PDTB114EUF

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型号

PDTB114EUF

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PDTB114EUF

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NOW NEXPERIA PDTB114EUF - SMALL

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PDTB114EUF NXP NOW NEXPERIA PDTB114EUF - SMALL

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PDTB114EUF详情

NXP PDTB114EUF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    SOT-323

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    CTS-Frequency Controls

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    500 mA

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    520

  • 尺寸/尺寸

    0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

  • 类型

    TCXO

  • 电压 - 供电

    3V

  • 频率

    14.4 MHz

  • 频率稳定性

    ±1.5ppm

  • 输出量

    削波正弦波

  • 功能

    -

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    2mA

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    -

  • 扩频带宽

    -

  • 功率 - 最大

    300 mW

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    70 @ 50mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    100mV @ 2.5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 频率转换

    140 MHz

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 电阻基(R1)

    10 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 kOhms

  • 座位高度(最大)

    0.039 (1.00mm)

  • 评级结果

    -

0个相似型号

PDTB114EUF拓展信息

PDTA113EE,115
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NXP USA Inc.

PDTA114TE,115
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PDTC144TE,115
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NXP USA Inc.

PDTA114EE,115
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PDTC143TE,115
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PDTC123JE,115
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PDTC124XE,115
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PDTA114TE,115-NXP
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PDTD123YQAZ
PDTD123YQAZ

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