NXP PDTC115EMB315

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

DFN1006B-3

Package

Strip

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

20 mA

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT1602B

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

类型

XO (Standard)

电压 - 供电

2.8V

频率

66.6 MHz

频率稳定性

±50ppm

输出量

HCMOS, LVCMOS

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

4.5mA

扩频带宽

-

功率 - 最大

250 mW

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

1µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 250µA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

230 MHz

绝对牵引范围 (APR)

-

电阻基(R1)

100 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

100 kOhms

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-