NXP PHKD13N03LT，518

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Mounting Styles

表面贴装

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.4A

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

操作温度

-55°C to +130°C

系列

TrenchMOS™

容差

0.1

终端类型

Pb

功率 - 最大

3.57W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

752pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.7nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

屏蔽的

无

场效应管特性

逻辑电平门