PMBT5551215详情
NXP PMBT5551215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
4.535924 g
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
160 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
PMBT5
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
频率
300 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
250 mW
增益带宽积
300 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
160 V
最大集电极电流
300 mA
最高频率
300 MHz
转换频率
300 MHz
最大击穿电压
160 V
集电极基极电压(VCBO)
180 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
PMBT5551215拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。