PMST6428,115详情
NXP PMST6428,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-218AB
供应商器件包装
DO-218AB
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SM6S26
厂商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Product Status
Obsolete
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101, PAR®
类型
Zener
应用
汽车
电源线保护
无
电压 - 击穿
28.9V
功率 - 最大
200 mW
功率 - 脉冲峰值
4600W (4.6kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
99A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
46.6V
电压 - 反向断态(典型值)
26V
单向通道
1
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 100µA, 5V
最大集极截止电流
10nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
电容@频率
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
700MHz
PMST6428,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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