PMST6428,115
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NXP PMST6428,115

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型号

PMST6428,115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PMST6428,115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

DO-218AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NOW NEXPERIA PMST6428 - SMALL SI

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PMST6428,115 NXP NOW NEXPERIA PMST6428 - SMALL SI

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PMST6428,115详情

NXP PMST6428,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-218AB

  • 供应商器件包装

    DO-218AB

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    SM6S26

  • 厂商

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Product Status

    Obsolete

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, PAR®

  • 类型

    Zener

  • 应用

    汽车

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    28.9V

  • 功率 - 最大

    200 mW

  • 功率 - 脉冲峰值

    4600W (4.6kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    99A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    46.6V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    26V

  • 单向通道

    1

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    250 @ 100µA, 5V

  • 最大集极截止电流

    10nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    600mV @ 5mA, 100mA

  • 电容@频率

    -

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 频率转换

    700MHz

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PMST6428,115拓展信息

BC856BS/DG/B3115
BC856BS/DG/B3115

NXP USA Inc.

BC857B/DG/B3215
BC857B/DG/B3215

NXP USA Inc.

BC807-40W/ZL135
BC807-40W/ZL135

NXP USA Inc.

BC857CW,115
BC857CW,115

NXP Semiconductors

PMBTA06/DG/B3235
PMBTA06/DG/B3235

NXP USA Inc.

BCW61C/DG/B4215
BCW61C/DG/B4215

NXP USA Inc.

BC51PAS115
BC51PAS115

NXP USA Inc.

BCX56-16115
BCX56-16115

NXP USA Inc.

BC817-25/DG/B2235
BC817-25/DG/B2235

NXP USA Inc.

BC847CT,115
BC847CT,115

NXP USA Inc.

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