PZTA44.115详情
NXP PZTA44.115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Number of Elements
1
hFEMin
40
Power Dissipation (Max)
1.35 W
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
20 MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage
750 mV
系列
*
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
频率
20 MHz
极性
NPN
电压
400 V
元素配置
Single
电流
3 A
功率耗散
1.35 W
集电极发射器电压(VCEO)
400 V
最大集电极电流
300 mA
最高频率
20 MHz
转换频率
20 MHz
最大击穿电压
400 V
集电极基极电压(VCBO)
500 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
长度
6.7 mm
高度
1.7 mm
宽度
3.7 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
PZTA44.115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








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