PZTA44.115详情
NXP PZTA44.115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage
750 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
hFEMin
40
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
系列
*
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.35 W
频率
20 MHz
极性
NPN
电压
400 V
元素配置
Single
电流
3 A
功率耗散
1.35 W
增益带宽积
20 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
400 V
最大集电极电流
300 mA
最高频率
20 MHz
转换频率
20 MHz
最大击穿电压
400 V
集电极基极电压(VCBO)
500 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
PZTA44.115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








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