NXP Semiconductors BC858B,215

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

TO-236AB

厂商

恩智浦半导体

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Qualification

AEC-Q101

包装

Bulk

操作温度

150°C (TJ)

零件状态

活跃

功率 - 最大

250 mW

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

100MHz

职系

汽车