NXP Semiconductors BCV26
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BCV26
1786-BCV26
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
--最小包装量--
BCV26详情
NXP Semiconductors BCV26重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
房屋材料
flame retardant plastic
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross Weight
43.00
Transport Package Size/Quantity
35*32*26/200
Mounting Hole Size
Ф22 mm
Completeness
device; ring current sensor Ф14.5/ 32.5 mm; h - 12.5 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT-23
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
220 MHz
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
digital LED voltmeter ammeter series DMS (AD16-22VAM B)
端子表面处理
Tin (Sn)
颜色
emitting - blue
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
51 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
引线长度
device ~ 100; sensor ~ 178 mm
配置
DARLINGTON
绝缘电阻
≥2 MΩ
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
工作温度范围
-25…+65 °C
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
20000
集电极-发射器电压-最大值
30 V
VCEsat-最大值
1 V
测量范围
(AC) 50…500 V
饱和电流
1
直径
display - 28.5 mm
BCV26拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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