NXP Semiconductors PDTA115ET

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Description

PLASTIC PACKAGE-3

Part Package Code

SOT-23

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Part Life Cycle Code

Transferred

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.02 A

最小直流增益（hFE）

80

集电极-发射器电压-最大值

50 V