PDTA123JT
PDTA123JT

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP Semiconductors PDTA123JT

  • 收藏
  • 对比

型号

PDTA123JT

utmel 编号

1786-PDTA123JT

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

Nonstandard SMD

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PDTA123JT
PDTA123JT NXP Semiconductors TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PDTA123JT详情

NXP Semiconductors PDTA123JT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    非标准 SMD

  • 表面安装

    YES

  • 材料

    steel; gray polypropylene

  • 介电材料

    Paper, Metallized

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Weight gross

    4.51

  • Transport packaging size/quantity

    48*28*22/2700

  • Characteristic

    head shape - countersunk

  • Purpose

    for sheet materials

  • Slot

    cross

  • 厂商

    KEMET

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • 系列

    SMP255

  • 包装

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 尺寸/尺寸

    0.500" L x 0.453" W (12.70mm x 11.50mm)

  • 容差

    ±20%

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 零件状态

    活跃

  • 终端

    焊盘

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Foldable dowel with screw

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 应用

    Automotive, EMI, RFI Suppression

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21

  • 电容量

    0.027 µF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 最小品质因数(在L-nom)

    630V

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 采样率(每秒)

    0.272" (6.90mm)

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.25 W

  • 隔离电压

    310V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • 饱和电流

    1

  • 特征

    长寿命

  • 长度

    dowel - 50 mm

  • 直径

    drilling - 10 mm

  • 评级结果

    AEC-Q200, X2

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors PDTA123JT.

PDTA123JT拓展信息

BC856BS/DG/B3115
BC856BS/DG/B3115

NXP USA Inc.

BC857B/DG/B3215
BC857B/DG/B3215

NXP USA Inc.

BC807-40W/ZL135
BC807-40W/ZL135

NXP USA Inc.

BC857CW,115
BC857CW,115

NXP Semiconductors

PMBTA06/DG/B3235
PMBTA06/DG/B3235

NXP USA Inc.

BCW61C/DG/B4215
BCW61C/DG/B4215

NXP USA Inc.

BC51PAS115
BC51PAS115

NXP USA Inc.

BCX56-16115
BCX56-16115

NXP USA Inc.

BC817-25/DG/B2235
BC817-25/DG/B2235

NXP USA Inc.

BC847CT,115
BC847CT,115

NXP USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z