NXP Semiconductors PDTA123JT
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PDTA123JT
1786-PDTA123JT
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
Nonstandard SMD
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
PDTA123JT详情
NXP Semiconductors PDTA123JT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
非标准 SMD
表面安装
YES
材料
steel; gray polypropylene
介电材料
Paper, Metallized
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Weight gross
4.51
Transport packaging size/quantity
48*28*22/2700
Characteristic
head shape - countersunk
Purpose
for sheet materials
Slot
cross
厂商
KEMET
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT-23
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
系列
SMP255
包装
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®
操作温度
-40°C ~ 125°C
尺寸/尺寸
0.500" L x 0.453" W (12.70mm x 11.50mm)
容差
±20%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
活跃
终端
焊盘
ECCN 代码
EAR99
类型
Foldable dowel with screw
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
Automotive, EMI, RFI Suppression
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
电容量
0.027 µF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小品质因数(在L-nom)
630V
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236AB
采样率(每秒)
0.272" (6.90mm)
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
隔离电压
310V
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
50 V
饱和电流
1
特征
长寿命
长度
dowel - 50 mm
直径
drilling - 10 mm
评级结果
AEC-Q200, X2
PDTA123JT拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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