NXP Semiconductors PDTB123YT
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PDTB123YT
1786-PDTB123YT
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Description: TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
PDTB123YT详情
NXP Semiconductors PDTB123YT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.1pF
Mounting
SMD
Case - inch
0402
Case - mm
1005
Capacitors series
GCM
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT-23
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
电容量
0.56pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
70
集电极-发射器电压-最大值
50 V
饱和电流
1
Operating voltage
100V
PDTB123YT拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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