NXP Semiconductors PDTD113ET
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PDTD113ET
1786-PDTD113ET
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Description: TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
--最小包装量--
PDTD113ET详情
NXP Semiconductors PDTD113ET重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
D2PAK
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTORS RATIO 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
33
集电极-发射器电压-最大值
50 V
饱和电流
1
PDTD113ET拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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