NXP Semiconductors PEMH11
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PEMH11
1786-PEMH11
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
PEMH11详情
NXP Semiconductors PEMH11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
230 MHz
Type of integrated circuit
FRAM memory
Kind of memory
FRAM
Memory
8Mb FRAM
Memory organisation
1024kx8bit
Case
UFLGA8
Mounting
SMD
Gross weight
0.5 g
Operating temperature
-40...85°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
界面
SPI
Clock frequency
20MHz
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
50 V
饱和电流
1
PEMH11拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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