NXP Semiconductors PESD15VS1UL
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PESD15VS1UL
1786-PESD15VS1UL
二极管 - 齐纳 - 单
4-SMD, Gull Wing
大陆
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DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppressor
1最小包装量--
PESD15VS1UL详情
NXP Semiconductors PESD15VS1UL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Gull Wing
供应商器件包装
TBSG
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
DFN
Package Description
R-PBCC-N2
Breakdown Voltage-Nom
18 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
包装
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低漏电流
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PBCC-N2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
5 µA @ 1000 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 3 A
平均整流电流(Io)
6 A
Rep Pk反向电压-最大值
15 V
最大非代表峰值转速功率Dis
150 W
电压 - 峰值反向(最大值)
1 kV
击穿电压-最小值
17.6 V
击穿电压-最大值
18.4 V
饱和电流
1
PESD15VS1UL拓展信息
NXP USA Inc.
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