NXP Semiconductors PESD5V0S1UL
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PESD5V0S1UL
1786-PESD5V0S1UL
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppressor
1最小包装量--
PESD5V0S1UL详情
NXP Semiconductors PESD5V0S1UL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
外壳材料
1
Package Description
1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
DFN
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Breakdown Voltage-Nom
6.8 V
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低漏电流
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PBCC-N2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
5 V
最大非代表峰值转速功率Dis
150 W
击穿电压-最小值
6.4 V
击穿电压-最大值
7.2 V
饱和电流
1
PESD5V0S1UL拓展信息
NXP USA Inc.
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