NXP Semiconductors PMBTA06
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PMBTA06
1786-PMBTA06
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
PMBTA06详情
NXP Semiconductors PMBTA06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
contacts - phosphor bronze / housing - PA 66 (UL94V-0)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross Weight
0.40
Transport packaging size/quantity
46*38*19/10000
Conductor diameter (cross section)
0.08~0.3 (28-22 AWG) mm²
Mounting method
crimping on cable
Contact pitch
2.54 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT-23
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
Connector type
F - BLD receptacle
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
5.2 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
Number of contacts
8 (2x4)
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
Operating temperature range
-25…+85 °C
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
0.25 V
饱和电流
1
高度
14 mm
宽度
10.16 mm
PMBTA06拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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