NXP Semiconductors PTVS6V0S1UR
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PTVS6V0S1UR
1786-PTVS6V0S1UR
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppressor
1最小包装量--
PTVS6V0S1UR详情
NXP Semiconductors PTVS6V0S1UR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
外壳材料
1
Mounting
SMD
Case - inch
1210
Case - mm
3225
Capacitors series
KAF
Gross weight
0.285 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
PLASTIC PACKAGE-2
Breakdown Voltage-Nom
7.02 V
Kind of capacitor
MLCC
Type of capacitor
ceramic
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
0.1µF
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
2
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2; IEC-61643-321
JESD-30代码
R-PDSO-F2
资历状况
不合格
电介质
X7R
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
6 V
最大非代表峰值转速功率Dis
400 W
击穿电压-最小值
6.67 V
最大箝位电压
10.3 V
击穿电压-最大值
7.37 V
饱和电流
1
Operating voltage
200V
PTVS6V0S1UR拓展信息
NXP USA Inc.
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