NXP USA Inc. 2N5401,116
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2N5401,116
1786-2N5401,116
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS PNP 150V 0.3A TO-92
1最小包装量--
2N5401,116详情
NXP USA Inc. 2N5401,116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
300mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
2N5401
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
630mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
150V
转换频率
100MHz
频率转换
300MHz
最大耗散功率(Abs)
0.63W
VCEsat-最大值
0.5 V
集电极-基极电容-最大值
6pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2N5401,116拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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