2N7002PW
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NXP USA Inc. 2N7002PW

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型号

2N7002PW

utmel 编号

1786-2N7002PW

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 310 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2N7002PW NXP USA Inc. TRANSISTOR 310 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2N7002PW详情

NXP USA Inc. 2N7002PW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2N7002PW

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Samacsys Description

    Trench MOSFET,N channel 60V,310mA SOT323 NXP 2N7002PW N-channel MOSFET Transistor, 0.31 A, 60 V, 3-Pin SOT-323

  • Ihs Manufacturer

    NEXPERIA

  • Risk Rank

    5.15

  • Drain Current-Max (ID)

    0.31 A

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.6 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

2N7002PW拓展信息

PSMN1R7-60BS
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NXP USA Inc.

PMV250EPEA
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PMN20EN
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NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
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PSMN8R040PS127
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BSS83
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BLF6G38-10G,118
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NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

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PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

PSMN017-80BS
PSMN017-80BS

NXP USA Inc.

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