BLF6G38-10G,118
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NXP USA Inc. BLF6G38-10G,118

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型号

BLF6G38-10G,118

utmel 编号

1786-BLF6G38-10G,118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BLF6G38-10G

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BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118 NXP USA Inc. BLF6G38-10G

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BLF6G38-10G,118详情

NXP USA Inc. BLF6G38-10G,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, S-CDSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BLF6G38-10G,118

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Ampleon

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    AMPLEON NETHERLANDS B V

  • Risk Rank

    7.47

  • Drain Current-Max (ID)

    3.1 A

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    S-CDSO-G2

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    L带

0个相似型号

BLF6G38-10G,118拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

PSMN017-80BS
PSMN017-80BS

NXP USA Inc.

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