NXP USA Inc. BLF6G38-10G,118
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BLF6G38-10G,118
1786-BLF6G38-10G,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLF6G38-10G
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BLF6G38-10G,118详情
NXP USA Inc. BLF6G38-10G,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, S-CDSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF6G38-10G,118
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
7.47
Drain Current-Max (ID)
3.1 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-CDSO-G2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
BLF6G38-10G,118拓展信息
NXP USA Inc.
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