NXP USA Inc. BUK7219-55A
- 收藏
- 对比
BUK7219-55A
1786-BUK7219-55A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

55A, 55V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK, 3 PIN
1最小包装量--
BUK7219-55A详情
NXP USA Inc. BUK7219-55A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK7219-55A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.23
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
55 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
55 A
漏极-源极导通最大电阻
0.019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
250 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
120 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
114 W
BUK7219-55A拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.







哦! 它是空的。