NXP USA Inc. BC638,126

安装类型

通孔

表面安装

NO

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

已出版

2004

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC638

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

830mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

63 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

最大耗散功率(Abs)

0.8W

VCEsat-最大值

0.5 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant