NXP USA Inc. BC847B

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

90 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

hFEMin

200

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

NPN

电压

45 V

电流

200 mA

功率耗散

250 mW

增益带宽积

100 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

200 mA

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

环境温度范围高

150 °C

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC