NXP USA Inc. BC847BW

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

hFEMin

110

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC847BW

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diotec Semiconductor AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

Risk Rank

1.51

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

200 mW

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

最大结点温度（Tj）

150 °C

集电极-发射器电压-最大值

45 V

环境温度范围高

150 °C

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC