NXP USA Inc. BC850B

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

BC850B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diotec Semiconductor AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

Risk Rank

1.52

Part Package Code

SOT-23

包装

切割胶带

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

电压

45 V

电流

1 A

功率耗散

250 mW

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

JEDEC-95代码

TO-236

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

最大耗散功率(Abs)

0.31 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

45 V

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

长度

3 mm

达到SVHC

无SVHC