我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
NXP USA Inc. BC858B
- 收藏
- 对比
BC858B
1786-BC858B
分立半导体产品
--
大陆
立即发货
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
--最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
BC858B详情
NXP USA Inc. BC858B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
-650 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
PNP
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
100 mA
集电极基极电压(VCBO)
-30 V
发射极基极电压 (VEBO)
-5 V
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
BC858B拓展信息
哦! 它是空的。