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技术文档
型号
BC858B
品牌
NXP USA Inc.
utmel 编号
1786-BC858B
商品类别
分立半导体产品
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
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BC858B详情
技术参数
NXP USA Inc. BC858B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
-650 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
PNP
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
100 mA
集电极基极电压(VCBO)
-30 V
发射极基极电压 (VEBO)
-5 V
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
BC858B拓展信息
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公司资质
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型号:PMBT3906
封装:--
品牌:NXP USA Inc.
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