NXP USA Inc. BC879,112

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

功率 - 最大

830mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 500mA 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 1mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

最大耗散功率(Abs)

0.8W

VCEsat-最大值

1.8 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant