NXP USA Inc. BCP53-10T115
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BCP53-10T115
1786-BCP53-10T115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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TRANS PNP 80V 1A SOT223
1最小包装量--
BCP53-10T115详情
NXP USA Inc. BCP53-10T115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
SOT-223
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
功率 - 最大
600 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
140MHz
BCP53-10T115拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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