NXP USA Inc. BF199,112
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BF199,112
1786-BF199,112
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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TRANS NPN 25V 0.025A SOT54
1最小包装量--
BF199,112详情
NXP USA Inc. BF199,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Current-Collector (Ic) (Max)
25mA
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BF199
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
38 @ 7mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
电压 - 集射极击穿(最大值)
25V
转换频率
550MHz
频率转换
550MHz
最大耗散功率(Abs)
0.5W
集电极-基极电容-最大值
0.5pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BF199,112拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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