NXP USA Inc. BF370,112

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

400nA ICBO

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

转换频率

500MHz

频率转换

500MHz

最大耗散功率(Abs)

0.5W

RoHS状态

ROHS3 Compliant