NXP USA Inc. BFG540W/X

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15 V

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

9000 MHz

Manufacturer Part Number

BFG540W/X

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.73

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW NOISE

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

500 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

120 mA

最高频率

9 GHz

转换频率

9 GHz

集电极基极电压(VCBO)

20 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

发射极基极电压 (VEBO)

2.5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.12 A

最小直流增益（hFE）

60

最高频段

L带

环境耗散-最大值

0.5 W

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

长度

2.2 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅