NXP USA Inc. BFQ18A,115
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BFQ18A,115
1786-BFQ18A,115
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-243AA
大陆
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RF Bipolar Transistors NPN 18V 150mA 4GHZ
1最小包装量--
BFQ18A,115详情
NXP USA Inc. BFQ18A,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
Number of Elements
1
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFQ18
引脚数量
3
参考标准
CECC
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 100mA 10V
电压 - 集射极击穿(最大值)
18V
转换频率
4000MHz
频率转换
4GHz
最大耗散功率(Abs)
1W
最高频段
S B
环境耗散-最大值
1W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BFQ18A,115拓展信息
NXP USA Inc.
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