NXP USA Inc. BST15,115
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BST15,115
1786-BST15,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
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TRANS PNP 200V 0.2A SOT89
1最小包装量--
BST15,115详情
NXP USA Inc. BST15,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
200mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BST15
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.3W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 50mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
200V
转换频率
15MHz
频率转换
15MHz
最大耗散功率(Abs)
1W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BST15,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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