NXP USA Inc. BUJ103A,127

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Base Product Number

BUJ1

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

hFEMin

10

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUJ103A,127

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

Risk Rank

5.16

系列

*

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

80 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSFM-T3

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

80

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

最大集电极电流

4 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

集电极基极电压(VCBO)

700 V

发射极基极电压 (VEBO)

700 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

13

连续集电极电流

4

集电极-发射器电压-最大值

400 V

辐射硬化

无