NXP USA Inc. BUJ105AB118

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

hFEMin

10

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Package Description

PLASTIC, D2PAK-3/2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUJ105AB,118

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

Risk Rank

1.57

包装

Tape & Reel (TR)

系列

*

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

125 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

IEC-134

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

125 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

最大集电极电流

8 A

集电极基极电压(VCBO)

700 V

发射极基极电压 (VEBO)

700 V

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

13

集电极-发射器电压-最大值

400 V

辐射硬化

无