NXP USA Inc. BUJ302AD,118

工厂交货时间

6 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20 V

hFEMin

48

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Risk Rank

1.64

Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BUJ302AD,118

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.2 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

80

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

80 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

310 mV

最大集电极电流

4 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 800mA, 3V

最大集极截止电流

250mA

JEDEC-95代码

TO-252

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 3.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

400 V

转换频率

80 MHz

最大击穿电压

400 V

频率转换

-

发射极基极电压 (VEBO)

24 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

25

连续集电极电流

4

集电极-发射器电压-最大值

400 V

辐射硬化

无

无铅

无铅