NXP USA Inc. BUJ303B,127

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

hFEMin

10

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Package Description

PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUJ303B,127

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

Risk Rank

1.06

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

100 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

参考标准

IEC-134

JESD-30代码

R-PSFM-T3

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

100

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

100 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

23 @ 800mA, 3V

最大集极截止电流

100µA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

400 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

1.05 kV

发射极基极电压 (VEBO)

1.05 kV

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

23

连续集电极电流

5

集电极-发射器电压-最大值

400 V

辐射硬化

无