NXP USA Inc. BUT11AI,127
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BUT11AI,127
1786-BUT11AI,127
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS NPN 450V 5A TO220AB
1最小包装量--
BUT11AI,127详情
NXP USA Inc. BUT11AI,127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BUT11
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
100W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
14 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
1mA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 330mA, 2.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
450V
最大耗散功率(Abs)
100W
VCEsat-最大值
1.5 V
关断时间-最大值(toff)
4800ns
接通时间-最大值(ton)
1000ns
环境耗散-最大值
100W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUT11AI,127拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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