NXP USA Inc. BZT52-C33115
- 收藏
- 对比
BZT52-C33115
1786-BZT52-C33115
二极管 - 齐纳 - 单
SOD-123
大陆
立即发货

DIODE ZENER 33V 350MW SOD123
1最小包装量--
BZT52-C33115详情
NXP USA Inc. BZT52-C33115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOD-123
供应商器件包装
SOD-123
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Impedance (Max) (Zzt)
40 Ohms
系列
BZT52
操作温度
150°C (TJ)
容差
±6.06%
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 23.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA
功率 - 最大
350 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
33 V
BZT52-C33115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.







哦! 它是空的。