NXP USA Inc. BZT52H-C75
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BZT52H-C75
1786-BZT52H-C75
二极管 - 齐纳 - 单
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74.5V, 0.375W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
1最小包装量--
BZT52H-C75详情
NXP USA Inc. BZT52H-C75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Compliant
Package Description
PLASTIC PACKAGE-2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
74.5 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZT52H-C75
Power Dissipation (Max)
0.375 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
8.11
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
最大功率耗散
375 mW
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-F2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
齐纳电压
75 V
最大电压允差
6.04%
工作测试电流
2 mA
动态阻抗-最大值
400 Ω
达到SVHC
无SVHC
BZT52H-C75拓展信息
NXP USA Inc.
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