NXP USA Inc. BZV49C11T/R
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BZV49C11T/R
1786-BZV49C11T/R
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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DIODE 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN, Voltage Regulator Diode
1最小包装量--
BZV49C11T/R详情
NXP USA Inc. BZV49C11T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
Voltage Rating (DC)
11 V
RoHS
Compliant
Reference Voltage-Nom
11 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BZV49C11T/R
Power Dissipation (Max)
1 W
Manufacturer
Philips Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
5.92
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
额定功率
1 W
Reach合规守则
unknown
配置
SINGLE
阻抗
20 Ω
元素配置
共阳极
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
1 W
最大反向漏电电流
100 nA
齐纳电压
11 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
5 mA
电压允差
5 %
动态阻抗-最大值
20 Ω
无铅
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BZV49C11T/R拓展信息
NXP USA Inc.
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