BZV55-B2V7
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NXP USA Inc. BZV55-B2V7

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型号

BZV55-B2V7

utmel 编号

1786-BZV55-B2V7

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE 2.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

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BZV55-B2V7
BZV55-B2V7 NXP USA Inc. DIODE 2.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

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BZV55-B2V7详情

NXP USA Inc. BZV55-B2V7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • Reference Voltage-Nom

    2.7 V

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BZV55-B2V7

  • Power Dissipation (Max)

    0.5 W

  • Manufacturer

    Philips Semiconductors

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Risk Rank

    5.73

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 子类别

    电压基准二极管

  • Reach合规守则

    unknown

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    泽纳电极

  • 最大电压允差

    2%

  • 工作测试电流

    5 mA

  • 动态阻抗-最大值

    100 Ω

0个相似型号

BZV55-B2V7拓展信息

BZV55-C3V3
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BZX79-C7V5
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