NXP USA Inc. BZV55-B3V9TR
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BZV55-B3V9TR
1786-BZV55-B3V9TR
二极管 - 齐纳 - 单
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3.9V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1最小包装量--
BZV55-B3V9TR详情
NXP USA Inc. BZV55-B3V9TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
3.9 V
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
额定功率
500 mW
阻抗
90 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
3 µA
齐纳电压
3.9 V
电压允差
2 %
无铅
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BZV55-B3V9TR拓展信息
NXP USA Inc.
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