NXP USA Inc. BZV55-B68
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BZV55-B68
1786-BZV55-B68
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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DIODE 68 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
1最小包装量--
BZV55-B68详情
NXP USA Inc. BZV55-B68重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
68 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV55-B68
Power Dissipation (Max)
0.4 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.18
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
O-LELF-R2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
2%
工作测试电流
2 mA
BZV55-B68拓展信息
NXP USA Inc.
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