NXP USA Inc. BZV55-C30T/R
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BZV55-C30T/R
1786-BZV55-C30T/R
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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DIODE 30 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
1最小包装量--
BZV55-C30T/R详情
NXP USA Inc. BZV55-C30T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Voltage Rating (DC)
30 V
RoHS
Compliant
Reference Voltage-Nom
33 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV55-C30T/R
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Manufacturer
Philips Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
8.52
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
额定功率
500 mW
Reach合规守则
unknown
配置
SINGLE
阻抗
80 Ω
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
50 nA
齐纳电压
30 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
2 mA
电压允差
5 %
动态阻抗-最大值
80 Ω
无铅
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BZV55-C30T/R拓展信息
NXP USA Inc.
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