NXP USA Inc. BZV55C4V3

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Compliant

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Reference Voltage-Nom

4.3 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZV55-C4V3

Power Dissipation (Max)

0.4 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.24

包装

切割胶带

容差

5 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

200 °C

子类别

电压基准二极管

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500 mW

箱体转运

ISOLATED

齐纳电压

4.3 V

最大电压允差

5%

工作测试电流

5 mA

反向电流-最大值

3 µA

动态阻抗-最大值

90 Ω

达到SVHC

无SVHC