NXP USA Inc. BZV55C7V5TR

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage Rating (DC)

7.5 V

RoHS

Compliant

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

7.5 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BZV55C7V5TR

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.16

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

GENERAL PURPOSE

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

额定功率

500 mW

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

15 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500 mW

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

1 µA

测试电流

5 mA

齐纳电压

7.45 V

最大电压允差

5%

工作测试电流

5 mA

电压允差

5 %

动态阻抗-最大值

15 Ω

辐射硬化

无

无铅

无铅